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2014年中國半導體分立器件發展現狀
雙擊自動滾屏 發布者:admin 發布時間:2014-10-17 閱讀:2385

1、我國半導體分立器件分布現狀

我國半導體分立器件產業地區分布相對集中。按國內半導體分立器件行業銷售總額比重分布,其中長三角地區占41.3%,京津環渤海灣地區占10%,珠三角地區占43.2%,其他地區占5.5%。我國生產分立器件的企業主要分布在江蘇、浙江、廣東、天津等省市,占到全國的76.4%以上。

2、半導體分離器件市場規模

前瞻產業研究院發布的《2014-2020年中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》顯示:2009-2013年,中國半導體分立器件產業銷售額逐年上漲,2013年均為最大值,但是增速呈現波動趨勢。2010年,2013年,中國半導體分立器件產業銷售額為1135.40億元,同比增長28.50%,增速為近年來的最大值。2013年,中國半導體分立器件產業銷售額為1642.50億元,同比增長18.17%,增長速度有所加快。

3、分立器件的發展趨勢

事實證明,半導體分立器件仍有很大的發展空間。半導體分立器件通常總是沿著功率、頻率兩個方向發展,發展新的器件理論、新的結構,出現各種新型分立器件,促進電子信息技術的迅猛發展。

一是發展電子信息產品急需的高端分立器件,如SiGaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電子器件、變容管及肖特基二極管等。隨著理論研究和工藝水平的不斷提高,電力電子器件在容量和類型等方麵得到了很大發展,先後出現了從高壓大電流的GTO到高頻多功能的IGBT、功率MOSFET等自關斷、全控型器件。近年來,電力電子器件正朝著大功率、高壓、高頻化、集成化、智能化、複合化、模塊化及功率集成的方向發展,如IGPTMCTHVIC等就是這種發展的產物。

二是發展以SiGeSiCInPGaN等化合物半導體材料為基礎的新型器件。

三是跟蹤世界半導體分立器件發展趨勢,加強對納米器件、超導器件等領域的研究。

四是分立器件封裝技術的發展趨勢仍以片式器件為發展方向,以適應各種電子設備小型化、輕量化、薄型化的需要。封裝形式的發展,一是往小型化方向發展,由常用的SOT-23SOD-123型向尺寸更小的,如SOT-723/923SOD-723/923DFN/FBP1006等封裝型式發展;二是片式小型化往功率器件方向延伸,從1W功率的SOT-89一直到功耗10WTO-252以及功率更大的大功率封裝,如TO-247TO-3P等;三是另一類則望更大尺寸、更大體積以滿足各類更大功率的新型電力電子封裝,如全壓接式大功率IGBT及各類模塊封裝等。

 
 


     

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