首   頁   產品中心   新聞中心   技術資訊   誠聘英才   聯係og真人遊戲  
 

 
 
   

  地  址:山東省東營市府前大街65號
  電  話:0546-8301856
  傳  真:0546-8302859
  郵  箱: market@zenybuy.com

您現在的位置:首頁>新聞中心
功率器件向高集成智能功率模塊發展
雙擊自動滾屏 發布者:admin 發布時間:2014-10-13 閱讀:2493

回顧功率器件的發展,從二極管到三極管,實現了從不可控到可控的飛躍;可控晶閘管的誕生打開了可控器件向大功率發展的大門,從此可控晶閘管統治著大功率器件市場。但可控晶閘管隻能控製開通而不能控製關斷,限製了其在許多領域的發展。特別是在高頻領域,要求能高頻控製功率變換,從而提高功率變換裝置的效率,減小體積。雙極功率三極管(GTR)首先站了出來,隨著飽和壓降不斷降低和頻率提高,GTR在許多領域找到了用武之地。但是由於它的控製功率大(功率放大倍率較低),保護設計複雜,器件存在二次擊穿等問題,因而應用無法快速推廣。隨著功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的誕生和發展,MOSFET憑借微功率電壓控製特性和高頻率,迅速在中小功率變換領域發揮作用。但其通態電阻與電壓限製了它向高電壓應用發展。而這時絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的發明結合了MOSFET的電壓控製特性和GTR的飽和電壓特性,突破了兩類器件的限製,開始向大功率領域進軍。

另一方麵,隨著功率器件的不斷進步,功率變換的應用領域不斷擴大,應用電路也越來越複雜,從單管控製斬波電路到兩管半橋電路,從四管H橋電路到六管三相逆變電路甚至多管開關電路。在主逆變電路功率器件增加的同時,對控製電路和驅動技術的要求也越來越高。雖然單個功率器件的效率越來越高、控製簡化,但電路的複雜性給使用者提出了新的要求。為便於客戶使用功率器件,功率模塊應運而生。它的設計目的是將功率器件的配置、散熱,乃至驅動問題在模塊中解決,為用戶提供易於使用、可靠的功率器件。

功率器件的驅動技術也走過從電流驅動到電壓驅動,光電轉換到高壓集成電路(HVIC)的發展階段。在雙極晶體管的電流驅動時代,由於損耗很大,為使模塊體積盡可能小,省略了驅動和保護電路,由客戶外配。但功率模塊的體積還是很大,雜散電感的影響也限製了其向高頻發展,這些缺陷限製了功率模塊的推廣和發展。IGBT取代雙極晶體管,使功率模塊得以飛速發展:首先由於采用電壓驅動,器件的驅動更易於實現,其次效率的提高使小型化成為可能。 HVIC技術的應用更是使驅動技術產生了質的飛躍,HVIC的主要特點是:單電源供電(光耦隔離必須4個電源供電),溫度漂移小,延遲時間一致,高頻和小體積。驅動功率的不斷下降、驅動電路占位空間的大幅減小、頻率的提高,都有助於推動在一個模塊內集成驅動電路與功率器件。

近年來帶驅動和保護電路的智能功率模塊(IPM)相繼麵市,如三菱的IPM模塊,用戶不必考慮器件的具體運行,隻需設計係統控製部分和最優的結構。新型IPM模塊甚至將開關電源也設計在模塊內,更加方便用戶使用。這也是初期人們喜歡IPM模塊的主要原因。同時,器件製造商在提高器件的技術水平的同時,也在努力推出更係統化的模塊,如包括整流、逆變、驅動、保護和係統控製,甚至濾波、開關電源等的模塊。用戶隻需要了解接口電路和定義,很快可以組成運行係統。

中國家電特別是變頻空調行業的OEM從零開始,現在已能完全獨立設計自己的產品,在功率變換模塊應用方麵經曆了高集成度IPM模塊到分立器件的過程。說明我國對功率變換、特別是在功率變換在家電中的應用已經初步掌握。這是技術成熟的必經之路,這樣才能從整體上提高og真人遊戲開發產品的能力。

從另一方麵看,og真人遊戲在掌握技術的同時,付出了昂貴的代價。如果將開發成本加到產品中,將失去價格優勢,因此業內又出現重新分工的趨勢:專業功率器件製造公司與空調OEM合作,共同開發高性能和低成本變頻空調。實際上美、日家電OEM一直采用這種市場機製,與有能力提供先進技術和最低成本的供應商合作,創造雙贏局麵。雖然OEM在初期小批量采購時價格稍高,但相對於獨立開發而言,成本大幅度降低,大部分開發成本和風險都轉移到器件製造上。

 
 


     

地址:中國.東營   郵編:257091   電話:0546-8301856  傳真:0546--8302859  E_mail:market@zenybuy.com
og真人遊戲公司版權所有 Copyright Kedasemi   魯ICP備09023913號
 
威尼斯人真人充值 亚洲集团AG AG亚洲游戏 AG真人线上网站 AG真人线上网站 AG开户 亚游击团